碳化硅又一订单签订!超芯星半导体与国内下游客户达成战略合作协议
2023-07-31 17:45:09
来源:
面包芯语
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文
7月27日,江苏超芯星半导体有限公司(下称“超芯星半导体”)宣布公司与国内下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议。
【资料图】
除了此次订单,在2022年7月底,超芯星半导体宣布6英寸碳化硅衬底已进入美国一流器件厂商。超芯星半导体当时表示,为满足国内外市场的订单,公司正在有序交货及稳步扩产,计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片。
官方显示,超芯星半导体于2019年成立,致力于6-8英寸碳化硅衬底技术的开发与产业化,2020年3月被江北新区重点引进,是南京市唯一的第三代半导体衬底生产企业,该公司已于2019年10月推出大尺寸碳化硅单晶产品。
融资方面,2021年11月,超芯星半导体完成数亿元A+轮融资。本轮融资由招银国际领投,华业天成和软银中国跟投,老股东同创伟业追加投资。
2020年9月,超芯星半导体完成A轮融资,投资方为南京扬子区块链股权投资基金;种子轮由个人天使投资人严宗华完成,天使轮由同创伟业和磊梅瑞斯完成。
2023年1月,超芯星半导体完成亿元B轮融资。本轮融资由渶策资本领投,浙江创智、大有资本、佳银资本跟投,多维资本鼎力支持。本轮融资资金将用于超芯星二期项目的扩产、运营以及研发的持续投入。
此外,据南京江北新区产业技术研创园消息,2023年3月,超芯星半导体项目和中安半导体项目与新区签约,未来都将落户新区研创园。该公司总部迁入研创园后,将推动上市计划,项目规划三年实现6英寸碳化硅衬底年产3万片,未来还将在SiC衬底产品的基础上,将进一步研发SiC切磨抛工艺,打造国内SiC行业标杆企业。
来源:集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察(重点企业或园区)
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